Der Intel i850 Chipsatz (Rückblick)

Wir brauchen im Prinzip über den i850 Chipsatz wirklich nicht mehr viel zu sagen. In diversen Berichten sind wir schon vielfach auf seine Feinheiten eingegangen. Im Hinblick auf seine Eckdaten wollen wir lediglich noch einmal zwei wichtige Punkte ansprechen.

Die zum Einsatz kommenden Southbridge mit Namen ICH2, welche auch schon dem i815 Chipsatz zur Seite stand, verfügt über 8 Int-Leitung (die meisten Chipsets verfügen lediglich über 4), was sich sehr positiv auf den Bereich Hardwareressourcen auswirkt. Die maximale Bestückung der 32bit busmasterfähigen PCI-Slots beträgt 6. Gewährt man nun einem Mainboard mit 8 Int-Leitungen genügend Ressourcen durch die Deaktivierung nicht benötigter OnBoard Komponenten im BIOS (z.B. serielle oder parallele Schnittstellen), so ist es realisierbar, jedem der 6 PCI-Slots einen eigenen IRQ zuzuordnen, ohne dass entsprechende Steckkarten in diesen Slots untereinander einen IRQ sharen (teilen) müssen!

Das zweite wesentlich Detail hat dann gleich etwas mit Performance zu tun. Die Anbindung des MCH (Memory Controller Hub) an den Speicher erfolgt mit 3 GB/s, derzeit nur zu realisieren durch die seitens Intel verwendete Dual Channel Rambusarchitektur.

Ein wesentlich zu beachtender Punkt: Die Dual Channel Rambus Architektur funktioniert allerdings ausschließlich durch den Einsatz von zwei RDRAM Modulen gleichzeitig und dies auch nur mit 3 GB/s, wenn PC800 RDRAMs zum Einsatz kommen. Jedes PC800 Modul für sich ist nur in der Lage, max. 1.5 GB/s Speicherdurchsatz liefern zu können. Dieser zu beachtende Punkt ist aber letztlich nicht nur ein Hinweis, sondern eine Pflicht, denn i850 Platinen sind mit lediglich einem Modul nicht funktionstüchtig.

Manchmal trifft man auch auf den Hinweis, dass RDRAM Motherboards auf Basis des i850 Chipsatzes nur zur voller Leistung bei Bestückung von allen 4 Speicherbänken fähig sind. Blanker Unsinn! Rein die Bestückung aller 4 Speicherbänke ist zwingend erforderlich. Da dies jedoch wenig praxisnah und zu teuer wäre, half man sich hier mittels sogenannten Abschlusswiederständen aus (Blindmodule), welche bei der RDRAM Bestückung von lediglich 2 DIMM-Sockeln in die verbleibenden 2 weiteren Sockel gesteckt werden.

Zu beobachtende Leistungssteigerungen bei der Bestückung von allen 4 RDRAM Sockeln mit entsprechenden Speichermodulen sind letztlich nur auf höhere Speichermenge zurückzuführen, nicht aber auf den Umstand der Vollbestückung zurückzuführen.