2.5-3-3-7 vs. 2.0-2-2-5

Allem voran wollen wir uns aber erst einmal in der Praxis betrachten, welche Unterschiede zu erwarten sind, wenn man von der Auto-Erkennung auf die manuelle Einstellung wechselt, um uns darüber im klaren zu werden, ob ein Betrieb außerhalb von Herstellerspezifikationen denn überhaupt Sinn macht. Dazu haben wir zwei bekannte Benchmark Programme ins Feld geführt, über welche die meisten Anwender verfügen bzw. sie zuordnen können. Einerseits haben wir den SiSoft Sandra Memory Benchmark verwendet und zum anderen einen Benchmarkdurchlauf unter Quake III Arena, Demo001, in der alltagsüblicher Auflösung 1024x768x32bit unter High Quality vorgenommen. Sicherlich hätten LowQuality Ergbenisse beim Ego Shooter Quake III Arena deutlichere Unterschiede bei den verschiedenen Speichersettings aufgezeigt, jedoch wäre dieser Einsatz definitiv praxisfremd.

Erfolgt sind diese Messungen auf einem ASUS P4B533-E und einem Pentium 4 Prozessor, welcher mit 166 MHz QDR FSB betrieben wurde. Der Speicher taktete synchron zum FSB, also ebenfalls mit 166 MHz.

Wir geben bei diesen Resultaten zu bedenken, dass der synthetische Memory Benchmark aber auch der 3D-Spielebenchmark hier keine allgemeingültigen Schlussfolgerungen auf andere Anwendungen zulässt. Office-Anwendungen werden hier sicherlich wieder anders reagieren wie speicherlastige Bildbearbeitungsprogramme oder Multimedia-Anwendungen á la MP3- / Videoencodern. Die aufgezeigten Resultate sollen lediglich als Anhaltspunkt dienen.

Zwischen den langsamsten und den schnellsten Settings steigert sich der Speicherdurchsatz unter SiSoft Sandra gerade einmal um 1,5%. Dieser Durchsatz wirkt sich allerdings in alltagsüblicher HQ-Auflösung unter Quake III Arena bereits mit runden 4% Leistungszuwachs aus. Bedenkt man dabei, dass in HighQuality Benchmarks jedoch stärker Prozessortakt und Grafikkarte mit einfließen, ist dieser Zuwachs nicht zu verachten.

Betrachten wir uns aber die einzelnen Ergebnisse an sich, so erkennen wir sehr deutlich, dass beispielsweise die bezüglich Performance hoch angesehene CAS Lantency (tCL) sich bei 2 Taktzyklen nur marginal von 2.5 Taktzyklen unterscheidet. Ebenso kann die tRAS durch das Herabsetzen von 6 auf 5 Taktzyklen ebenfalls nicht zu erkennbarer Mehrperformance führen. Deutlicher wirken sich aber die Taktungen zwischen 3 und 2 Zyklen bei der tRCD und der tRP aus.

Was hat es also nun mit den einzelnen Timingoptionen auf sich? Wieso wirkt sich ein Taktzyklus von 2 Takten bei der tRCD deutlicher aus wie 2 Takte bei der tCL? Und was hat es mit all den weiteren Speichertiming-Optionen auf sich?

Speicher-Grundlagen

Betrachten wir uns die ganzen netten Abkürzungen einmal im ausgeschriebenen Zustand, so tauchen immer wieder CAS und RAS als weitere Abkürzung auf.

• tCL bzw. CL = CAS Latency
• tRCD = RAS to CAS Delay
• tRP = RAS Prechage Time
• tRAS = RAS Active Time / Active to Precharge

Diese Abkürzungen lassen sich nur verständlich erklären, wenn wir ein paar Erläuterungen zum Aufbau eines DDR-SDRAM Speichers und seiner Kommunikationsweise mit dem System liefern.

Betrachten wir uns dazu ein Speichermodul. Auf der Platine finden sich regelmäßig die aufgelöteten Speicherchips wieder, welche entweder komplett auf einer Seite des Moduls oder aber auf beiden Seiten des Moduls wiederzufinden sind. Diese physikalischen beiden Seiten haben allerdings nichts mit den sogenannten "double sided" oder "single sided" Modulen zu tun. Vielmehr geht es bei diesen Begriffen um die Aufteilung der Chips auf den internen Bänken.

Jedes derzeit gängige Speichermodul besteht intern aus 2 Bänken. Denken wir hierbei an eine häufig angetroffene Information aus dem Chipsatzbereich, welche z.B. von 6 möglichen Speicherbänken spricht, obwohl sich auf dem entsprechenden Mainboard nur 3 DIMM Slots wiederfinden. Einer dieser DIMM Slots kann demnach ein Modul aufnehmen, welches intern eine Bank oder intern zwei Bänke besitzt. Je nach Größe der verbauten Speicherchips, sind diese intern auf eine Bank verteilt, oder aber auch auf die zweite der internen Bänke.

Die Speicherchips selbst bestehen je nach Größe aus vielen Millionen Speicherzellen (DRAM Zellen), welche wiederum in Speicherfelder nach Zeilen und Spalten aufgeteilt sind. Diese Speicherfelder sind wiederum in interne Bänke aufgegliedert. Bei DDR-SDRAM Modulen finden wir ausschließlich Speicherchips, welche über 4 interne Bänke verfügen (man beachten den Unterschied zwischen "Speicherchip" und "Speichermodul").