Ergänzende Informationen zum i875P Chipsatz
Sehr ausführlich haben wir bereits zum Chipsatz und seinen Details in unserem ersten Review berichtet. Wir bitten um Beachtung dieser Informationen und wollen diese hier nicht erneut abhandeln. Allerdings gibt es auch noch ein paar Anmerkungen /Ergänzungen zum seinerzeitigen Technik-Teil, welche damals noch nicht erfolgten. Dies ist teilweise darin begründet, dass Intel selbst die Chipsatzpapiere erst nach der offiziellen Vorstellung des Produktes veröffentlichte und diese Papiere uns eben zum Launch noch nicht zugänglich waren.
Dabei müssen wir jedoch vorwegschicken, dass die nachfolgenden Informationen prinzipiell nur theoretische Betrachtungen darstellen, welche in der Praxis teils nicht durch Tests nachgestellt werden können bzw. exakt zu vergleichen sind. Diese Informationen befassen sich auch wieder ausschließlich mit der Spezialität des Canterwood Chipsatzes, nämlich dem Speicherinface und Speicherbesonderheiten.
Es wäre hier als Ergänzung zum einen die Speicherfrequenz zu nennen: Der i875P Chipsatz ist für seine volle Leistungsentfaltung auf DDR400 Speicher im DualChannel Mode ausgelegt. Allerdings wird auch die Möglichkeit geboten, den Speicher asynchron zum FrontSideBus der CPU zu betreiben, was sich beispielsweise für Anwender anbietet, die noch über ausreichend DDR333 Speicher verfügen und aus Kostengründen nicht auf DDR400 Speicher upgraden möchten.
In diesem Falle, unter Verwendung eines Pentium 4 3.0C mit 200 MHz QDR FSB, würde der Speicher dann im Dual DDR333 Mode betrieben, möchte man zumindest annehmen. Dem ist nicht so, denn in exakt dieser Konstellation beträgt die Speicherfrequenz lediglich DDR320, also 160 MHz DDR. Dies scheint daher zu rühren, dass Intel (beabsichtigt) den entsprechenden Teiler lediglich mit 4/5 implementierte, bei anliegendem FSB von 200 MHz QDR FSB ergibt dies also nicht 166, sondern 160 MHz DDR Speichertakt. Intel erklärte uns dazu, dass man nach eigenen Tests festgestellt habe, dass das System im Dual DDR320 Mode schneller arbeite, als im Dual DDR333 Mode, weshalb man dann auch letztlich nur diese Option bei 200 MHz QDR FSB umgesetzt habe.
Eine weitere interessante Information, hervorgehend aus den Chipsatzpapieren ist die Angabe zu den Speicherseiten, welche der i875P Chipsatz gleichzeitig offen halten kann (Open Pages). Hier darf als kurzer Hintergrund die Information ins Feld geführt werden, dass die modernen Systeme mit vielen ausgeklügelten Mechanismen arbeiten, um Latenzzeiten zu verkürzen und die Performance zu verbessern. Befinden sich benötigte Informationen z.B. in noch offenen Speicherseiten (Page Hit), aus welchen der Chipsatz noch lesen kann, so müssen diese Daten nicht erneut adressiert und nachgeladen werden, sondern stehen sofort zur Verfügung. Damit kann die allgemeine Systemperformance natürlich sehr wohl von der Menge der offenen Speicherseiten profitieren, welche ein Chipsatz verwalten kann.
Der i875P kann im DualChannel Mode bis zu 16 Open Pages (4 pro Reihe) verwalten. Dabei ist die soeben gemachte Angabe "Reihe" sehr wichtig. Auf den 875P Mainboards befinden sich 4 Speicherslots und jeder dieser Speicherslots kann jeweils zweireihige Speichermodule (Double Sided) verwalten.
Bestückt man also im DualChannel DDR400 Mode die beiden Speicherslots mit einreihigen Modulen (Single Sidern) und berücksichtigen die Information 4 Seiten pro Reihe, so hätten wir lediglich 8 Seiten, welche der Chipsatz gleichzeitig offen halten kann. Bestücken wir allerdings die gleichen Slots mit zweireihigen Speichermodulen, so ist der i87P dann in der Lage, gleich 16 OpenPages gleichzeitig zu verwalten. Um bei einreihigen Modulen ebenfalls das Maximum von 16 offenen Seiten zu erreichen, müssten wir alle 4 Slots mit Speichermodulen bestücken (=8 offene Seiten gleichzeitig pro Kanal).
In der Theorie verspricht also ein in dieser Art mit zweireihigen Speichermodulen bestücktes System einen gewissen Performance Vorteil gegenüber jenem System mit einreihigen Speichermodulen. Dabei darf allerdings auch nicht verschwiegen werden, dass je mehr Speichermodule in ein System kommen, damit auch um so mehr Speicherchips und damit um so mehr Speicherfelder vorhanden sind, die es zu verwalten und zu adressieren gilt, was in aller Regel ein wenig Performance kostet.
Was davon letztlich überwiegt, können wir abschließend nicht klären. Leider lagen uns zum Test keine zweireihigen 256 MB Speichermodule vor, so dass wir nicht in der Lage waren, einen brauchbaren Vergleich zu starten, wie sich die gesteigerte Anzahl der maximal 16 gleichzeitig offenen Speicherseiten in der Praxis auswirkt. Einen Versuch des Vergleiches haben wir dennoch angestellt:
Der Knackpunkt der Konfiguration mit jeweils 2 512 MB Modulen ist schlicht, dass sich nicht genau sagen lässt, wie die Anwendungen 3DMark2001 und Quake III letztlich vom gesteigerten Hauptspeicher gegenüber dem System mit 2 x 256 MB Modulen reagiert. Erkennen lässt sich aber unsere Grundaussage des Verwaltungsaufwandes bei der Bestückung beider Kanäle mit jeweils 2 Modulen. Dort haben wir allerdings lediglich 8 Seiten offen pro Kanal und somit nur in Kombination beider Kanäle 16 offene Speicherseiten, wohingegen beim zweiten Kandidaten 16 offene Seiten in einem Kanal vorhanden sind.
Es lässt sich ein gewisser Performance-Vorteil durchaus erkennen, sicherlich abhängig von der jeweiligen Anwendung. Ob sich dies jedoch in der Praxis spürbar umsetzen lässt, sei einmal dahingestellt. Wir werden zu diesem Punkt noch einmal ein Update nachliefern, sobald uns double Sided 256 MB Module vorliegen, wir rechnen aber nicht mit gravierenden / deutlichen Differenzen.
Der letzte zu erwähnende Punkt überraschte uns doch ein wenig, denn er beschäftigt sich mit der Vcc_DDR, also der Speicherspannung. Die bisherigen JEDEC Vorgaben sahen bei DDR-SDRAM Speichermodulen eine Defaultspannung von 2,5V +/- 0,2V vor, damit also ein Maximum von 2,7V. Intels Vorgaben sehen hier eine Defaultspannung von unkritischen 2,6V vor, mindestens jedoch 2,55V und maximal 3V! Wir vertreten allerdings auch weiterhin unseren Standpunkt, dass alles jenseits von 2,75V auf Grund der produzierten Abwärme dauerhaft zu Schäden am Speicher, besser gesagt an dessen internen Spannungswandler führen kann.
Damit sind wir am Ende unserer Ergänzungen zum i875P Chipsatz und können uns unseren eigentlichen Testkandidaten zuwenden.
